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鈮基超導量子比特的量子相干時間如何提升至 800 微秒?1
采用電子束光刻(分辨率 50nm)+ 原子層沉積(ALD)制備 Nb/AlOx/Nb 約瑟夫森結,通過優化氧化層厚度(1.5nm)和低溫退火(200℃/1 小時),相干時間從 200 微秒提升至 800 微秒,用于 IBM 量子計算機芯片。 寶雞天博金屬在金屬材料加工行業內深耕多年,產品保質保量,致力于服務好每位客戶,歡迎各位客戶隨時來電咨詢:13347285481陳(WX同號) 聲明:此篇為寶雞天博金屬材料有限公司原創文章,轉載請標明出處鏈接:http://www.fzcnb.com/h-nd-1268.html
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