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鈮基超導量子比特的量子相干時間如何提升至 800 微秒?

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采用電子束光刻(分辨率 50nm)+ 原子層沉積(ALD)制備 Nb/AlOx/Nb 約瑟夫森結,通過優化氧化層厚度(1.5nm)和低溫退火(200℃/1 小時),相干時間從 200 微秒提升至 800 微秒,用于 IBM 量子計算機芯片。


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