鈦靶材在量子芯片制造中的濺射速率與均勻性如何控制？?

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采用磁控濺射（Ti靶，Ar氣壓0.5Pa），速率穩定在2.5nm/s±1%，膜厚均勻性RSD≤2%（Φ300mm基板）。

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