電子束蒸發鉬舟:純度≥5N,加熱至 1800℃時蒸發速率 0.5-2μm/min
濺射靶材背襯板:熱導率 142W/(m?K),確保散熱均勻性
案例:某芯片廠使用鉬加工件作為散熱基板,器件結溫降低 12℃
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