表面涂層:
CVD 沉積 SiC 膜:1600℃氧化增重<0.1mg/cm2
鍍銥處理:耐 γ 射線輻照劑量>10?Gy
工藝參數(shù):涂層厚度 5-10μm,結(jié)合力>10N/cm(劃格試驗)
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