半導體熔煉坩堝是用于半導體晶體生長的關鍵設備,通常由高溫陶瓷材料制成,能夠承受高溫和化學腐蝕。常見的半導體熔煉坩堝包括以下類型:
石英坩堝:石英是一種高純度的無機材料,它具有出色的耐高溫和化學穩定性。石英坩堝常用于硅單晶生長中。
氧化鋯坩堝:氧化鋯是一種高溫陶瓷材料,它具有高強度、高耐磨性和良好的耐化學性。氧化鋯坩堝通常用于生長氮化鎵等化合物半導體材料。
氮化硅坩堝:氮化硅是一種高溫陶瓷材料,它具有良好的高溫強度和耐腐蝕性能。氮化硅坩堝常用于生長氮化鎵和碳化硅等材料。
鋁氧化物陶瓷坩堝:鋁氧化物是一種高溫陶瓷材料,它具有高強度、高耐磨性和優異的耐化學性能。鋁氧化物陶瓷坩堝通常用于生長氮化鋁等材料。
高純度石墨坩堝:高純度石墨坩堝是一種經過高溫燒結處理的高溫材料,它具有優異的導熱性和耐腐蝕性。高純度石墨坩堝通常用于生長鍺和硅等材料。