優化方法：
提高致密度：通過熱等靜壓（HIP）使致密度≥99.5%，減少濺射時的顆粒脫落。
晶粒控制：粗晶靶材（晶粒 50-200μm）濺射速率比細晶靶材高 20%-30%。
設備匹配：調整濺射功率（5-15 W/cm2）和工作氣壓（0.1-1 Pa），優化等離子體分布。
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