鉬坩堝用于晶體生長時，怎樣的純度標準能滿足工藝要求？

雜質含量限制：

氧（O）<50ppm：避免晶體氧化夾雜；

碳（C）<20ppm：防止高溫下與熔體反應生成碳化物；

鐵（Fe）、鎳（Ni）<10ppm：避免污染半導體晶體（如硅單晶）。

純度等級：半導體級需≥99.99%（4N），普通光學晶體≥99.95%（3.5N）。

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