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鈮箔在中子探測中如何提高劑量探測元件活度測量的精度?

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可通過設計適當含鉭雜質的鈮箔,根據鈮探測片中子活化規(guī)律,加工相應尺寸的鈮箔作為目標探測片。然后根據中子輻照環(huán)境的中子能譜和中子注量率制定輻照條件,將目標鈮箔完成輻照。利用 182Ta 半衰期與 93mNb 半衰期的差異,建立 182Ta 比活度減少量與 93mNb 比活度的減小量之間的關系,消除 182Ta 熒光效應影響,從而實現含鉭鈮探測片 93mNb 活度的準確測量。


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