鈮箔在中子探測中如何提高劑量探測元件活度測量的精度？

可通過設(shè)計(jì)適當(dāng)含鉭雜質(zhì)的鈮箔，根據(jù)鈮探測片中子活化規(guī)律，加工相應(yīng)尺寸的鈮箔作為目標(biāo)探測片。然后根據(jù)中子輻照環(huán)境的中子能譜和中子注量率制定輻照條件，將目標(biāo)鈮箔完成輻照。利用 182Ta 半衰期與 93mNb 半衰期的差異，建立 182Ta 比活度減少量與 93mNb 比活度的減小量之間的關(guān)系，消除 182Ta 熒光效應(yīng)影響，從而實(shí)現(xiàn)含鉭鈮探測片 93mNb 活度的準(zhǔn)確測量。

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