鉭基超導(dǎo)芯片的量子相干時(shí)間如何提升至 800 微秒？

采用原子層沉積技術(shù)（ALD）在硅襯底上生長(zhǎng)鉭薄膜（厚度 20-50nm），通過(guò)優(yōu)化濺射功率（200W）和氬氣流量（5sccm），結(jié)合低溫退火（400℃/2h）消除晶格缺陷，使量子退相干時(shí)間提升 15 倍。

寶雞天博金屬在金屬材料加工行業(yè)內(nèi)深耕多年，產(chǎn)品保質(zhì)保量，致力于服務(wù)好每位客戶，歡迎各位客戶隨時(shí)來(lái)電咨詢：13347285481陳（WX同號(hào)）