半導(dǎo)體濺射用鈮靶材的晶粒尺寸如何控制在 5μm 以下？

采用熱等靜壓（100MPa/1200℃）+ 冷加工（變形量 70%），使 Nb-1% Zr 靶材的晶粒度從 50μm 細化至 4μm，濺射薄膜厚度均勻性 ±1.5%，用于 3D NAND 閃存銅互連阻擋層。

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