半導(dǎo)體行業(yè)需要哪種真空爐鎢鉬配件？

根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)常用的真空爐鎢鉬配件分類結(jié)合應(yīng)用場景與技術(shù)要求整理：

一、加熱系統(tǒng)核心部件

鎢鉬加熱帶/加熱體

用于單晶硅爐、藍(lán)寶石晶體生長爐等設(shè)備，耐溫可達(dá)2600℃。

典型配件：鉬鑭合金（MoLa）加熱帶、TZM合金加熱棒，需滿足純度≥99.95%。

加熱連接件

包括鉬電極、鉬連接桿、鉬插座等，用于電流傳導(dǎo)與結(jié)構(gòu)支撐，適配高真空環(huán)境。

二、熱場系統(tǒng)組件

導(dǎo)流筒與隔熱屏

鉬導(dǎo)流筒：控制熱場氣流分布，確保晶體生長均勻，厚度通常為0.5-3mm。

鎢鉬合金隔熱屏：減少熱量散失，表面需堿洗或磨光處理以降低氧化風(fēng)險(xiǎn)。

籽晶夾頭與重錘

鉬籽晶夾頭：用于固定單晶硅生長初始晶體，需精密加工（公差±0.05mm）。

鉬重錘：在晶體拉制過程中保持熔體穩(wěn)定性，重量規(guī)格從5kg到200kg不等。

三、支撐與固定部件

鉬螺絲/螺母/螺栓

采用TZM合金材質(zhì)，耐高溫蠕變，螺紋規(guī)格覆蓋M2-M40，常用于熱場結(jié)構(gòu)組裝。

特殊需求：軍工級產(chǎn)品需通過ASTM B386標(biāo)準(zhǔn)抗拉強(qiáng)度測試。

鉬支架與掛鉤

用于承載石英坩堝或石墨坩堝，設(shè)計(jì)需考慮高溫變形系數(shù)（如線膨脹系數(shù)≤5.8×10??/℃）。

四、熔煉與鍍膜專用件

鉬坩堝與鉬舟

高純度鉬坩堝：用于硅/鍺等半導(dǎo)體材料熔煉，純度≥99.95%，壁厚誤差≤0.1mm。

折疊鉬舟：適配PVD鍍膜工藝，可定制U型/蝶形結(jié)構(gòu)，減少材料殘留。

鎢鉬靶材

旋轉(zhuǎn)靶材用于半導(dǎo)體芯片鍍膜，密度需≥19.3g/cm3，表面粗糙度Ra≤0.4μm。

五、離子注入機(jī)專用配件

鎢鉬屏蔽件與連接器

耐輻射鎢板（厚度0.5-10mm）用于離子束流控制，需通過10?次熱震測試。

鉬合金法蘭與密封件，適配超高真空環(huán)境（極限真空≤5×10??Pa）。

選型建議

材料優(yōu)先級：高溫區(qū)域（＞1600℃）優(yōu)先選擇TZM合金或鉬鑭合金，常規(guī)區(qū)域可用MO1純鉬。

供應(yīng)商參考：寶雞天博金屬材料有限公司（熱場系統(tǒng)整體方案，離子注入機(jī)配件）。

檢測標(biāo)準(zhǔn)：需提供材料成分報(bào)告（如ASTM B386）、第三方高溫抗彎測試數(shù)據(jù)（≥1800℃）