半導體行業需要哪種真空爐鎢鉬配件？

根據半導體行業常用的真空爐鎢鉬配件分類結合應用場景與技術要求整理：

一、加熱系統核心部件

鎢鉬加熱帶/加熱體

用于單晶硅爐、藍寶石晶體生長爐等設備，耐溫可達2600℃。

典型配件：鉬鑭合金（MoLa）加熱帶、TZM合金加熱棒，需滿足純度≥99.95%。

加熱連接件

包括鉬電極、鉬連接桿、鉬插座等，用于電流傳導與結構支撐，適配高真空環境。

二、熱場系統組件

導流筒與隔熱屏

鉬導流筒：控制熱場氣流分布，確保晶體生長均勻，厚度通常為0.5-3mm。

鎢鉬合金隔熱屏：減少熱量散失，表面需堿洗或磨光處理以降低氧化風險。

籽晶夾頭與重錘

鉬籽晶夾頭：用于固定單晶硅生長初始晶體，需精密加工（公差±0.05mm）。

鉬重錘：在晶體拉制過程中保持熔體穩定性，重量規格從5kg到200kg不等。

三、支撐與固定部件

鉬螺絲/螺母/螺栓

采用TZM合金材質，耐高溫蠕變，螺紋規格覆蓋M2-M40，常用于熱場結構組裝。

特殊需求：軍工級產品需通過ASTM B386標準抗拉強度測試。

鉬支架與掛鉤

用于承載石英坩堝或石墨坩堝，設計需考慮高溫變形系數（如線膨脹系數≤5.8×10??/℃）。

四、熔煉與鍍膜專用件

鉬坩堝與鉬舟

高純度鉬坩堝：用于硅/鍺等半導體材料熔煉，純度≥99.95%，壁厚誤差≤0.1mm。

折疊鉬舟：適配PVD鍍膜工藝，可定制U型/蝶形結構，減少材料殘留。

鎢鉬靶材

旋轉靶材用于半導體芯片鍍膜，密度需≥19.3g/cm3，表面粗糙度Ra≤0.4μm。

五、離子注入機專用配件

鎢鉬屏蔽件與連接器

耐輻射鎢板（厚度0.5-10mm）用于離子束流控制，需通過10?次熱震測試。

鉬合金法蘭與密封件，適配超高真空環境（極限真空≤5×10??Pa）。

選型建議

材料優先級：高溫區域（＞1600℃）優先選擇TZM合金或鉬鑭合金，常規區域可用MO1純鉬。

供應商參考：寶雞天博金屬材料有限公司（熱場系統整體方案，離子注入機配件）。

檢測標準：需提供材料成分報告（如ASTM B386）、第三方高溫抗彎測試數據（≥1800℃）