熔點：要確保坩堝材料的熔點高于晶體生長過程中的最高溫度，以防止坩堝在使用過程中熔化。例如，生長藍寶石晶體（熔點約 2050℃），可選擇熔點高達 2996℃的鉭坩堝或熔點為 2770℃的鎢坩堝。
化學穩定性：坩堝材料應與晶體生長原料及環境具有良好的化學相容性，避免發生化學反應影響晶體純度和質量。如在生長半導體晶體時，石英坩堝因化學穩定性好、純度高，常被用于硅晶體生長，能有效防止雜質引入。
熱穩定性：具備良好的熱穩定性可以保證坩堝在快速升溫和降溫過程中不破裂、不變形。像石墨坩堝具有較好的熱穩定性和熱導率，有利于晶體生長過程中的熱量傳遞和溫度控制，常用于一些對溫度變化較為敏感的晶體生長。
氧化物晶體：對于生長氧化鋁、氧化釔等氧化物晶體，通常可以選擇鉭坩堝、銥坩堝等。鉭坩堝具有良好的耐高溫和抗腐蝕性能，能為氧化物晶體生長提供穩定環境；銥坩堝則具有更高的化學穩定性，尤其適用于對純度要求極高的氧化物晶體生長。
半導體晶體：硅、鍺等半導體晶體生長常采用石英坩堝或石墨坩堝。石英坩堝純度高、耐溫性較好，能滿足硅晶體生長的高溫需求且不易引入雜質；石墨坩堝則具有良好的熱性能，有助于控制晶體生長的熱場分布。
氟化物晶體：生長氟化鈣、氟化鋰等氟化物晶體時，由于氟化物具有一定的腐蝕性，可選用鉑金坩堝或鎳基合金坩堝。鉑金坩堝具有極佳的耐腐蝕性，能抵抗氟化物的侵蝕；鎳基合金坩堝也具有較好的抗氟化物腐蝕能力，且成本相對較低。
提拉法：提拉法生長晶體需要坩堝材料具有良好的表面光潔度，以減少晶體與坩堝壁之間的摩擦和應力。通常會選擇表面光滑的石英坩堝、銥坩堝等，有助于晶體的順利提拉和生長。
區熔法：區熔法對坩堝的熱導率和熱穩定性要求較高，石墨坩堝由于熱導率高、熱穩定性好，能夠快速傳遞熱量并維持穩定的溫度場，因此在區熔法生長晶體中應用較為廣泛。
水熱法：水熱法生長晶體一般在高溫高壓的水溶液環境中進行，需要坩堝材料具有良好的耐水性和耐腐蝕性。常用的有不銹鋼高壓釜內襯聚四氟乙烯的坩堝，聚四氟乙烯具有優異的耐水性和化學穩定性，能在水熱環境中保護坩堝主體不受腐蝕。
材料成本：不同材料的坩堝成本差異較大。例如，鉑金坩堝成本較高，一般用于對晶體純度要求極高且生長規模較小的場合；而石墨坩堝成本相對較低，適用于一些對成本較為敏感、生長規模較大的晶體生長過程。
使用壽命：使用壽命長的坩堝雖然初始投資可能較高，但從長期來看可以降低成本。如銥坩堝雖然價格昂貴，但因其具有良好的耐高溫和耐腐蝕性能，在生長高熔點、高純度晶體時使用壽命較長，綜合成本可能并不高。
尺寸：坩堝的尺寸要根據晶體生長設備的大小和所需生長晶體的尺寸來確定。如果需要生長大尺寸晶體，就需要選擇較大容積的坩堝，以提供足夠的原料空間和生長空間；對于小型實驗設備或生長小尺寸晶體，則可以選擇較小尺寸的坩堝，以提高熱量傳遞效率和生長控制精度。
形狀：不同的晶體生長方法和晶體形狀可能需要不同形狀的坩堝。例如，提拉法生長的晶體通常為柱狀，一般使用圓柱形坩堝；而對于一些特殊形狀的晶體生長，可能需要定制特殊形狀的坩堝，如錐形坩堝、方形坩堝等，以更好地控制晶體的生長方向和形狀。
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