材料純度：純度達(dá) 99.95% 以上，雜質(zhì)分布均勻，減少對晶體生長的影響。
物理性能
高熔點：在 3422℃的高熔點可保證高溫下結(jié)構(gòu)完整。
導(dǎo)熱性好：利于熱量均勻傳遞，減少晶體內(nèi)部應(yīng)力。
熱膨脹系數(shù)匹配：與晶體相匹配，降低熱應(yīng)力對晶體的影響。
高強(qiáng)度和硬度：能承受各種應(yīng)力，保證晶體生長環(huán)境穩(wěn)定。
化學(xué)性能
穩(wěn)定性好：不與晶體材料、助熔劑等發(fā)生反應(yīng)，確保晶體化學(xué)組成和純度。
低揮發(fā)性：高溫下?lián)]發(fā)量低，避免影響晶體質(zhì)量。
加工精度
尺寸精確：與生長設(shè)備良好匹配，精確控制晶體生長。
表面平整：減少晶體與坩堝的摩擦和附著力，保證溫度均勻。
形狀合理：如圓柱形、圓錐形等，滿足特殊生長需求。
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