YS/T 1024-2015：鉭純度 ≥ 99.95%（3N95），雜質總和 ≤ 0.01%（W/Mo/Nb），氧 ≤ 0.05%。
SEMI F20-0706E（半導體級）：鉭純度 ≥ 99.998%（4N8），W/Mo/Nb 總和 ≤ 0.4ppm，氧 ≤ 600ppm。
雜質：
難熔金屬（W/Mo/Nb）：ICP-MS 或 GD-MS（ppb 級精度）。
氣體雜質（O/N/H）：氧氮分析儀或惰氣熔融法。
物理性能：密度（接近 16.68g/cm3）、晶粒尺寸（≤50μm）、表面粗糙度（Ra≤0.8μm）。
半導體：4N8 + 純度，痕量雜質嚴格控制（如 W≤0.1ppm）。
光學 / 工業：3N5~4N，側重表面質量與穩定性。
第三方：SGS、國家有色金屬測試中心（ISO 17025 認證）。
行業認證：SEMI 標準需通過半導體協會認證。
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