關(guān)鍵參數(shù):
氧含量<200ppm(避免 Cr?O?導(dǎo)致膜層吸收增加)
晶粒尺寸<5μm(提升膜層光滑度,降低散射損耗)
工藝建議:優(yōu)先選擇熔煉鑄造法制備的靶材,致密度>98%。
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