在 3D NAND 閃存制造中，鎢靶材用于垂直通孔（VIA）填充，形成導電通路。其高密度（19.3g/cm3）和高熔點特性確保通孔結構穩定，耐受多次擦寫循環。國內企業如江豐電子已實現 12 英寸鎢靶量產，良率達 99.2%。
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