鈮靶材的晶粒取向?qū)R射薄膜均勻性的影響？

當(dāng) {110} 織構(gòu)占比從 60% 提升至 80%，薄膜厚度偏差從 ±3% 降至 ±1.5%，通過軋制 + 退火工藝調(diào)控織構(gòu)，滿足半導(dǎo)體 3D NAND 的鍍膜要求。

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