原材料提純:采用電子束熔煉或區域熔煉技術,使鉭純度達 99.95%(3N95)以上。
雜質檢測:通過 ICP-MS 或 GD-MS 監測 W、Mo、Nb 等痕量雜質(半導體級要求≤0.4ppm)。
工藝優化:在惰性氣體環境中操作,避免氧化及污染。
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