鎳鎢濺射靶材在半導體制造中主要用于形成擴散阻擋層和蝕刻停止層。其高熔點（約 1970℃）和優異的抗腐蝕性能，使其適用于先進制程中的銅互連工藝，防止銅原子擴散至絕緣層。例如，在 7nm 及以下芯片中，鎳鎢合金靶材可有效提升器件可靠性，滿足高密度集成需求。
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