鉭靶材的晶粒尺寸是關鍵參數，通常控制在 40-60μm 以確保均勻濺射。細晶粒結構可減少膜層缺陷，提升沉積速率的一致性，尤其適用于半導體芯片的納米級薄膜制備。通過優化熱處理工藝，可調控晶粒取向（如 {111} 晶面占比），進一步改善膜層的電學和機械性能。
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