PVD鍍膜是一種物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition）技術，用于在材料表面沉積薄膜。這種技術通過將固態材料加熱至高溫，使其蒸發或濺射，并在真空或惰性氣體環境中沉積在目標材料（通常稱為靶材）的表面，從而形成薄膜。PVD鍍膜過程中，最常用的方法包括：蒸發沉積（Evaporation Deposition）： 在蒸發沉積中，靶材加熱至高溫，使其蒸發成氣體態，然后氣體態的...
鈦硅靶材是一種在半導體制造中常用的靶材，通常由鈦（Ti）和硅（Si）的合金組成。這種靶材在物理氣相沉積（PVD）等技術中用于薄膜沉積，對于半導體芯片的制造有著重要的應用。以下是鈦硅靶材的一些特性：薄膜的特性： 鈦硅靶材用于沉積薄膜層，這些薄膜層可以是金屬、合金、氧化物等。薄膜的性質取決于鈦硅靶材的成分比例和沉積過程的參數，可以調節薄膜的導電性、光學性質、機械性能等。合金組分： 鈦硅靶材是鈦和...
鈦靶的純度對產品性能和質量有著顯著的影響，特別是在半導體行業中，由于鈦靶用于薄膜沉積等關鍵制程，其純度要求非常高。以下是鈦靶純度對產品的影響：薄膜質量： 鈦靶用于物理氣相沉積（PVD）等技術在晶圓表面形成薄膜層。高純度的鈦靶可以確保薄膜的純度和均勻性，從而提高薄膜的質量和穩定性。低純度的鈦靶可能含有雜質，導致薄膜中出現缺陷，降低芯片性能。電學性能： 在半導體芯片中，有時需要在特定區域形成導電...
